TMD 是一種最先進(jìn)的半導(dǎo)體，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫?qū)僭胤肿右约斑^渡金屬制成。

近日，基礎(chǔ)科學(xué)研究所(IBS)表示，韓國多維碳材料(CMCM)中心馮丁和研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)找到了干擾大面積單晶二硫化物增強(qiáng)的真正標(biāo)準(zhǔn)。與來自中國的團(tuán)隊(duì)合作，專家們成功釋放了核心二硫化鎢(WS2)等核心二硫化物材料，作為晶圓級單晶過渡金屬二硫化物(TMD)。引用全球經(jīng)濟(jì) ANI 報(bào)道稱，TMD 是一種最先進(jìn)的半導(dǎo)體，由硫 (S)、硒 (Se) 和碲 (Te) 等硫?qū)僭胤肿右约斑^渡金屬制成。

由于在 TMD 的外圍而不是中心存在結(jié)構(gòu)對稱點(diǎn)，因此在半導(dǎo)體制造過程中選擇襯底變得非常復(fù)雜。在這份研究報(bào)告中，專家和研究人員團(tuán)隊(duì)展示了為 TMD 選擇優(yōu)化底層物質(zhì)的原理，并將其稱為雙耦合引導(dǎo)外延生長方法。

還發(fā)現(xiàn)對于基本上像兩個反向平行結(jié)構(gòu)的二硫化鎢(WS2)，在襯底上的臺階邊緣處形成的所有WS2可以使用藍(lán)寶石襯底絕緣體以單一方向排列。而且，在臺階的邊緣，晶粒穩(wěn)定地生長，然后與襯底的大小相似，它可以制作出大面積的單晶。

在大面積的 2 英寸晶圓規(guī)模內(nèi)，整個研究小組還成功地推出了二硫化鉬 (MoS2)、二硒化鎢 (WSe2) 和二硒化鉬 (MoSe2) 等 TMD。該研究的結(jié)果已被評估為加快即將到來的半導(dǎo)體材料商業(yè)化的勢頭，該結(jié)果已在納米科學(xué)《自然技術(shù)》的權(quán)威期刊上進(jìn)行了報(bào)道。事實(shí)上，幾個月前 SK 海力士和三星已經(jīng)在一周前向美國商務(wù)部提供了半導(dǎo)體庫存數(shù)據(jù)和銷售數(shù)據(jù)。